【产品组成】

  图2 产品组成框图

高速存储模块采用FPGA+DDR阵列+EMMC阵列架构设计，通过FPGA的逻辑设计的144位DDR4内存控制器、EMMC阵列存储控制器、SRIO SERDES控制器，实现高速存储模块、高速数据输入输出模块，高速数据缓存模块等功能。

EMMC阵列采用12片8位的64GB EMMC存储器，实现64位+32位存储阵列，支持HS200模式，单个I/O读写带宽可达200MB/s,64位总线则理论最大读写带宽为200*8=1600MB/s。但读写带宽不止是单纯的看总线带宽，还需要考虑FPGA数据接收、输出、缓存等模块的速率。为提高读写速率，模块采用SRIO作为高速存储板高速数据输入输出接口，SRIO接口作为存储板对内输入输出高速接口，144位DDR3阵列作为高速缓存单元，从而实现高速存储流程。

【产品功能】

1)   提供不小于512GB的存储容量，支持一个主机存储数据，多个主机访问数据；

【产品性能】

Ø  有效容量：≥512GB；

Ø  支持数据读取、回放校验；

Ø  支持数据冗余存储；

Ø  最大支持4个SRIO x4端口，端口速率最大支持20Gbps；

Ø  记录数据码率：≥5Gbps；

Ø  记录误码率：优于1×10-10;

Ø  存储/缓存单元容量

1) DDR3：10GB；

2) QSPI：256M-bit Serial Flash；

3) EMMC：768GB；

Ø  电源：12VDC，4000mA；

Ø  物理尺寸：234*174*24mm（带外壳）；

【应用领域】

产品广泛应用于星载/箭载/机载等航空电子设备、地面设备等需要用到高速输入、高速存储的场合，可存储各个单机模块的数据，组合完成不同任务。